
STH315N10F7-2 STMicroelectronics
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 174.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH315N10F7-2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STH315N10F7-2 за ціною від 171.37 грн до 470.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
STH315N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |