STH315N10F7-2 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 140.96 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH315N10F7-2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STH315N10F7-2 за ціною від 135.30 грн до 465.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STH315N10F7-2 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STH315N10F7-2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STH315N10F7-2 | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 4283 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STH315N10F7-2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STH315N10F7-2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STH315N10F7-2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 140.96 грн |
| STH315N10F7-2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 375.63 грн |
| 10+ | 240.58 грн |
| 50+ | 188.54 грн |
| 100+ | 161.23 грн |
| STH315N10F7-2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.98 грн |
| 10+ | 209.42 грн |
| 100+ | 166.01 грн |
| 500+ | 148.46 грн |
| 1000+ | 135.30 грн |
| STH315N10F7-2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 462.48 грн |
| 10+ | 321.28 грн |
| 100+ | 236.05 грн |
| 500+ | 211.97 грн |
| 1000+ | 184.21 грн |
| STH315N10F7-2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 465.28 грн |
| 45+ | 323.22 грн |
| 100+ | 237.48 грн |
| 500+ | 213.26 грн |
| 1000+ | 185.32 грн |