STH315N10F7-6

STH315N10F7-6 STMicroelectronics


sth315n10f76.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+384.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH315N10F7-6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2PAK-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STH315N10F7-6 за ціною від 182.01 грн до 459.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth315n10f76.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+416.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth315n10f7_2-1851278.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ 180 A STripFET F7 Power MOSFET in
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.79 грн
10+345.19 грн
100+242.19 грн
500+216.50 грн
1000+182.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth315n10f7-2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+248.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics dm0009218.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth315n10f76.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth315n10f76.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics dm0009218.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth315n10f7-2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth315n10f7-2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.