
STH315N10F7-6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 408.32 грн |
10+ | 281.95 грн |
100+ | 223.30 грн |
500+ | 190.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH315N10F7-6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2PAK-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STH315N10F7-6 за ціною від 172.06 грн до 442.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; 100V; 180A; 315W; TO263-7; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 315W Case: TO263-7 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 180nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Application: automotive industry |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
STH315N10F7-6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |