Продукція > STMICROELECTRONICS > STH315N10F7-6
STH315N10F7-6

STH315N10F7-6 STMicroelectronics

sth315n10f7-2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+134.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH315N10F7-6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2PAK-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STH315N10F7-6 за ціною від 135.30 грн до 396.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 STMicroelectronics sth315n10f76.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+216.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 STMicroelectronics sth315n10f76.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 STMicroelectronics sth315n10f7-2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.38 грн
10+234.12 грн
50+183.28 грн
100+156.64 грн
500+139.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 STMicroelectronics sth315n10f7-2.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+396.74 грн
10+204.37 грн
100+160.89 грн
500+143.34 грн
1000+141.88 грн
5000+135.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 sth315n10f76.pdf
STH315N10F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+216.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 sth315n10f76.pdf
STH315N10F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 sth315n10f7-2.pdf
STH315N10F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+366.38 грн
10+234.12 грн
50+183.28 грн
100+156.64 грн
500+139.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6 sth315n10f7-2.pdf
STH315N10F7-6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.74 грн
10+204.37 грн
100+160.89 грн
500+143.34 грн
1000+141.88 грн
5000+135.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.