Продукція > STMICROELECTRONICS > STH3N150-2
STH3N150-2

STH3N150-2 STMicroelectronics

en.CD00149569.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+441.09 грн
10+284.67 грн
100+205.19 грн
500+177.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH3N150-2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm.

Інші пропозиції STH3N150-2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STH3N150-2 STH3N150-2 STMICROELECTRONICS SGSTS50964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 35270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2 STH3N150-2 STMicroelectronics en.CD00149569.pdf MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
на замовлення 6097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2 STH3N150-2 STMICROELECTRONICS SGSTS50964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 35270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2 SGSTS50964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STH3N150-2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 35270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2 en.CD00149569.pdf
STH3N150-2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
на замовлення 6097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2 SGSTS50964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STH3N150-2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 35270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.