STH3N150-2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
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Технічний опис STH3N150-2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm.
Інші пропозиції STH3N150-2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STH3N150-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm |
на замовлення 26268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| STH3N150-2 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 26268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)