STH3N150-2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 181.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH3N150-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STH3N150-2 за ціною від 158.07 грн до 424.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STH3N150-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STH3N150-2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 42970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STH3N150-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V |
на замовлення 7014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STH3N150-2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH |
на замовлення 5826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STH3N150-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STH3N150-2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - MOSFET, N-KANAL, 1.5KV, 2.5A, H2PAK-2-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 42970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
STH3N150-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 7A Power dissipation: 86W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STH3N150-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STH3N150-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STH3N150-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 7A Power dissipation: 86W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |