Продукція > STMICROELECTRONICS > STH410N4F7-2AG
STH410N4F7-2AG

STH410N4F7-2AG STMicroelectronics

en.DM00175799.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+215.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH410N4F7-2AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 365W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STH410N4F7-2AG за ціною від 196.46 грн до 512.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH410N4F7-2AG STH410N4F7-2AG Виробник : STMicroelectronics sth410n4f7_2ag-1850953.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.34 грн
10+402.59 грн
25+330.26 грн
100+283.29 грн
250+267.88 грн
500+251.00 грн
1000+215.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AG STH410N4F7-2AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00175799.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.85 грн
10+338.29 грн
100+248.31 грн
500+196.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AG STH410N4F7-2AG Виробник : STMicroelectronics dm0017579.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AG STH410N4F7-2AG Виробник : STMicroelectronics dm0017579.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AG Виробник : STMicroelectronics dm0017579.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.