
STH410N4F7-6AG STMicroelectronics

MOSFETs Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 478.63 грн |
10+ | 396.68 грн |
25+ | 325.86 грн |
100+ | 278.89 грн |
250+ | 263.47 грн |
500+ | 248.06 грн |
1000+ | 199.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH410N4F7-6AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 365W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2PAK-6, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STH410N4F7-6AG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STH410N4F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STH410N4F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STH410N4F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STH410N4F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STH410N4F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 365W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STH410N4F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 365W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |