Продукція > STMICROELECTRONICS > STH47N60DM6-2AG

STH47N60DM6-2AG STMicroelectronics

Name: STH47N60DM6-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 3772936-4
Price: 533 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 544-553 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	533.00 грн
10+	484.13 грн
25+	400.48 грн
100+	374.85 грн
250+	355.09 грн
500+	344.84 грн
1000+	258.44 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STH47N60DM6-2AG STMicroelectronics

Description: POWER TRANSISTORS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STH47N60DM6-2AG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STH47N60DM6-2AG	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STH47N60DM6-2AG	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STH47N60DM6-2AG	Виробник : STMicroelectronics	Description: POWER TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STH47N60DM6-2AG	Виробник : STMicroelectronics	Description: POWER TRANSISTORS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.