Продукція > STMICROELECTRONICS > STH4N150-2AG
STH4N150-2AG

STH4N150-2AG STMicroelectronics

sth4n150-2ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH4N150-2AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STH4N150-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 208W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PowerMESH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.

Інші пропозиції STH4N150-2AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STH4N150-2AG STH4N150-2AG STMICROELECTRONICS sth4n150-2ag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STH4N150-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4N150-2AG sth4n150-2ag.pdf
STH4N150-2AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH4N150-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.