Продукція > STMICROELECTRONICS > STH60N099DM9-2AG
STH60N099DM9-2AG

STH60N099DM9-2AG STMicroelectronics

sth60n099dm9-2ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+154.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH60N099DM9-2AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STH60N099DM9-2AG за ціною від 164.73 грн до 467.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STH60N099DM9-2AG STH60N099DM9-2AG STMICROELECTRONICS 4130567.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH60N099DM9-2AG STH60N099DM9-2AG STMicroelectronics sth60n099dm9-2ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.15 грн
10+314.38 грн
25+258.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH60N099DM9-2AG STH60N099DM9-2AG STMicroelectronics sth60n099dm9-2ag.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.39 грн
10+265.79 грн
100+191.23 грн
500+164.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH60N099DM9-2AG STH60N099DM9-2AG STMICROELECTRONICS 4130567.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.13 грн
10+313.30 грн
100+226.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH60N099DM9-2AG 4130567.pdf
STH60N099DM9-2AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+226.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH60N099DM9-2AG sth60n099dm9-2ag.pdf
STH60N099DM9-2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.15 грн
10+314.38 грн
25+258.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH60N099DM9-2AG sth60n099dm9-2ag.pdf
STH60N099DM9-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.39 грн
10+265.79 грн
100+191.23 грн
500+164.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH60N099DM9-2AG 4130567.pdf
STH60N099DM9-2AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+467.13 грн
10+313.30 грн
100+226.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.