Продукція > STMICROELECTRONICS > STH60N099DM9-2AG
STH60N099DM9-2AG

STH60N099DM9-2AG STMICROELECTRONICS

4130567.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+316.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH60N099DM9-2AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STH60N099DM9-2AG за ціною від 275.14 грн до 405.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH60N099DM9-2AG STH60N099DM9-2AG Виробник : STMICROELECTRONICS 4130567.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+400.26 грн
10+335.89 грн
100+316.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STH60N099DM9-2AG STH60N099DM9-2AG Виробник : STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.12 грн
10+335.03 грн
25+275.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.