 
STH65N050DM9-7AG STMICROELECTRONICS
 Виробник: STMICROELECTRONICS
                                                Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 10+ | 570.55 грн | 
| 50+ | 486.05 грн | 
| 100+ | 407.54 грн | 
| 250+ | 399.46 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH65N050DM9-7AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції STH65N050DM9-7AG за ціною від 399.46 грн до 765.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | STH65N050DM9-7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |  Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 300 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 |