STH6N95K5-2

STH6N95K5-2 STMicroelectronics


en.DM00156940.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+91.17 грн
2000+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH6N95K5-2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STH6N95K5-2 за ціною від 85.13 грн до 265.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH6N95K5-2 STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00156940.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.70 грн
10+163.22 грн
100+116.06 грн
500+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics sth6n95k5_2-1851003.pdf MOSFETs N-channel 950 V, 1 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.43 грн
10+178.08 грн
100+111.55 грн
250+110.82 грн
500+91.74 грн
1000+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics 1425750961924075dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics 1425750961924075dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00156940.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00156940.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.