STH6N95K5-2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 91.17 грн |
2000+ | 82.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH6N95K5-2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STH6N95K5-2 за ціною від 85.13 грн до 265.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STH6N95K5-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V |
на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STH6N95K5-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STH6N95K5-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STH6N95K5-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STH6N95K5-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: H2PAK-2 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STH6N95K5-2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: H2PAK-2 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |