Продукція > STMICROELECTRONICS > STH6N95K5-2
STH6N95K5-2

STH6N95K5-2 STMicroelectronics

en.DM00156940.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+94.00 грн
2000+85.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH6N95K5-2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STH6N95K5-2 за ціною від 74.99 грн до 233.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH6N95K5-2 STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00156940.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.55 грн
10+168.28 грн
100+119.66 грн
500+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00156940.pdf MOSFETs N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.06 грн
10+168.82 грн
100+102.91 грн
500+88.53 грн
1000+76.43 грн
2000+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics 1425750961924075dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 STH6N95K5-2 Виробник : STMicroelectronics 1425750961924075dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.