Продукція > STMICROELECTRONICS > STHU36N60DM6AG
STHU36N60DM6AG

STHU36N60DM6AG STMICROELECTRONICS

3578613.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU36N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.084 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+321.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STHU36N60DM6AG STMICROELECTRONICS

Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: HU3PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STHU36N60DM6AG за ціною від 227.57 грн до 491.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STHU36N60DM6AG STHU36N60DM6AG Виробник : STMICROELECTRONICS 3578613.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STHU36N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.084 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+442.91 грн
10+387.22 грн
100+321.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STHU36N60DM6AG STHU36N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu36n60dm6ag-2942375.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.81 грн
10+372.37 грн
25+298.60 грн
100+271.87 грн
250+258.12 грн
600+227.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STHU36N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu36n60dm6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 8-Pin(7+Tab) HU3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU36N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu36n60dm6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU36N60DM6AG STHU36N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu36n60dm6ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU36N60DM6AG STHU36N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu36n60dm6ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.