STHU47N60DM6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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Технічний опис STHU47N60DM6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Інші пропозиції STHU47N60DM6AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STHU47N60DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STHU47N60DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| STHU47N60DM6AG |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STHU47N60DM6AG |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HU3PAK
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Produktpalette: MDmesh DM6 Series
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на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)