Продукція > STMICROELECTRONICS > STHU47N60DM6AG

STHU47N60DM6AG STMICROELECTRONICS

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STHU47N60DM6AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STHU47N60DM6AG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STHU47N60DM6AG	STMicroelectronics	MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in	на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STHU47N60DM6AG	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн.

STHU47N60DM6AG

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STHU47N60DM6AG

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.