Продукція > STMICROELECTRONICS > STHU60N046DM9AG
STHU60N046DM9AG

STHU60N046DM9AG STMICROELECTRONICS

STHU60N046DM9AG.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STHU60N046DM9AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 245W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

Інші пропозиції STHU60N046DM9AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG STMicroelectronics en.dm01113317.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 54A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG STMicroelectronics STHU60N046DM9AG.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4698 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG STMicroelectronics STHU60N046DM9AG.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4698 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG STMicroelectronics STHU60N046DM9AG.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG en.dm01113317.pdf
STHU60N046DM9AG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 600V 54A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG.pdf
STHU60N046DM9AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4698 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG.pdf
STHU60N046DM9AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4698 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG.pdf
STHU60N046DM9AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.