Продукція > STMICROELECTRONICS > STHU60N046DM9AG

STHU60N046DM9AG STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STHU60N046DM9AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 245W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

Інші пропозиції STHU60N046DM9AG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STHU60N046DM9AG	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 245W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm	на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STHU60N046DM9AG	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99	на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн.

STHU60N046DM9AG

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STHU60N046DM9AG

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.