STHU60N046DM9AG STMICROELECTRONICS


4517471.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+810.96 грн
5+725.46 грн
10+607.80 грн
50+508.57 грн
100+417.93 грн
250+396.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STHU60N046DM9AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STHU60N046DM9AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STHU60N046DM9AG Виробник : STMicroelectronics STHU60N046DM9AG.pdf STHU60N046DM9AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG Виробник : STMicroelectronics STHU60N046DM9AG.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4698 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG Виробник : STMicroelectronics STHU60N046DM9AG.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4698 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STHU60N046DM9AG STHU60N046DM9AG Виробник : STMicroelectronics STHU60N046DM9AG.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.