STHU65N050DM9AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25.5A, 10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 309.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STHU65N050DM9AG STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25.5A, 10V, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STHU65N050DM9AG за ціною від 295.87 грн до 887.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STHU65N050DM9AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25.5A, 10V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STHU65N050DM9AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N050DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STHU65N050DM9AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STHU65N050DM9AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N050DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|