Продукція > STMICROELECTRONICS > STI13NM60N

STI13NM60N STMicroelectronics

Name: STI13NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 14630317-4
Price: 452.1 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

на замовлення 919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	150.70 грн
10+	123.22 грн
100+	85.13 грн
250+	78.53 грн
500+	71.12 грн
1000+	57.83 грн
2000+	57.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STI13NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STI13NM60N

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STI13NM60N	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STI13NM60N	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STI13NM60N	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.