Продукція > STI > STI17NF25

STI17NF25


STx17NF25_Rev1.pdf
Виробник:

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI17NF25

Description: MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: I2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STI17NF25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STI17NF25 STI17NF25 Виробник : STMicroelectronics STx17NF25_Rev1.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.