Продукція > STMICROELECTRONICS > STI18N65M2
STI18N65M2

STI18N65M2 STMicroelectronics

en.DM00132456.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.49 грн
10+101.44 грн
50+85.71 грн
100+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI18N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STI18N65M2 за ціною від 68.17 грн до 240.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STI18N65M2 STI18N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.59 грн
10+126.41 грн
50+102.85 грн
100+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00132456.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.43 грн
10+155.40 грн
100+103.42 грн
500+86.06 грн
1000+70.13 грн
2000+69.45 грн
5000+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716372213833899dm00132456.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716372213833899dm00132456.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.