Продукція > STMICROELECTRONICS > STI18N65M2

STI18N65M2 STMicroelectronics

Name: STI18N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 28714611-8
Price: 578.44 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 98 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	144.61 грн
10+	108.27 грн
50+	91.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STI18N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STI18N65M2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	STI18N65M2	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	STI18N65M2	Виробник : STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.