STI20N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.19 грн |
| 10+ | 95.07 грн |
| 100+ | 93.04 грн |
| 500+ | 83.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI20N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STI20N65M5 за ціною від 104.88 грн до 111.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5 |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
STI20N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STI20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |