STI24N60M6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in an I2PAK package
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.17 грн |
| 10+ | 173.41 грн |
| 100+ | 115.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI24N60M6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STI24N60M6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STI24N60M6 | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STI24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STI24N60M6 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STI24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STI24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)