STI24NM60N STMicroelectronics


en.CD00286763.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+460.78 грн
10+239.05 грн
100+190.05 грн
500+162.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI24NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STI24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm.

Інші пропозиції STI24NM60N за ціною від 186.79 грн до 207.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STI24NM60N STI24NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STI24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STI24NM60N STMicroelectronics en.CD00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.25 грн
10+200.92 грн
25+200.04 грн
100+186.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STI24NM60N SGST-S-A0000145726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STI24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STI24NM60N en.CD00286763.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+207.25 грн
10+200.92 грн
25+200.04 грн
100+186.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.