STI24NM60N

STI24NM60N STMicroelectronics


stf24nm60n-955837.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.28 грн
10+343.82 грн
25+195.20 грн
100+179.24 грн
500+164.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI24NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STI24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STI24NM60N за ціною від 225.49 грн до 448.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STI24NM60N STI24NM60N Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STI24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+448.54 грн
10+424.12 грн
100+225.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI24NM60N STI24NM60N Виробник : STMicroelectronics 700553018157610cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI24NM60N Виробник : STMicroelectronics 700553018157610cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI24NM60N STI24NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00286763.pdf Description: MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.