
STI24NM60N STMicroelectronics
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 379.28 грн |
10+ | 343.82 грн |
25+ | 195.20 грн |
100+ | 179.24 грн |
500+ | 164.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI24NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STI24NM60N за ціною від 225.49 грн до 448.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STI24NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STI24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STI24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
STI24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |