STI40N65M2

STI40N65M2 STMicroelectronics


dm00159990-1798428.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.62 грн
10+297.09 грн
25+181.28 грн
100+166.60 грн
500+149.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI40N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STI40N65M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STI40N65M2 STI40N65M2 Виробник : STMicroelectronics 720727084131643dm00159990.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI40N65M2 STI40N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00159990.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.