на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 360.48 грн |
| 10+ | 297.80 грн |
| 25+ | 181.71 грн |
| 100+ | 167.00 грн |
| 500+ | 150.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI40N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STI40N65M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STI40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STI40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |