STI47N60DM6AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 566.97 грн |
| 10+ | 400.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI47N60DM6AG STMICROELECTRONICS
Description: POWER TRANSISTORS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STI47N60DM6AG за ціною від 234.68 грн до 603.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STI47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: POWER TRANSISTORS Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STI47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STI47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STI47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |