Продукція > STMICROELECTRONICS > STI47N60DM6AG

STI47N60DM6AG STMicroelectronics

Name: STI47N60DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 9557031-3
Price: 548.23 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Description: POWER TRANSISTORS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	548.23 грн
10+	356.75 грн
50+	283.38 грн
100+	243.78 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STI47N60DM6AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: I2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції STI47N60DM6AG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STI47N60DM6AG	STMicroelectronics	MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in	на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STI47N60DM6AG	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: I2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm	на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

STI47N60DM6AG

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STI47N60DM6AG

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.