на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.04 грн |
| 10+ | 76.38 грн |
| 100+ | 51.74 грн |
| 500+ | 43.81 грн |
| 1000+ | 35.59 грн |
| 2000+ | 33.61 грн |
| 5000+ | 33.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI4N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STI4N62K3 за ціною від 26.48 грн до 54.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STI4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
 STI4N62K3 THT N channel transistors |
на замовлення 202 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
STI4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STI4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
STI4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |