Продукція > STMICROELECTRONICS > STI4N62K3
STI4N62K3

STI4N62K3 STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E95A3DC85EE745&compId=STD4N62K3.pdf?ci_sign=6dfa425ea571eea9705ad043b988cf974ef7f395 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.80 грн
20+19.94 грн
23+17.66 грн
50+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI4N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STI4N62K3 за ціною від 18.92 грн до 140.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STI4N62K3 STI4N62K3 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E95A3DC85EE745&compId=STD4N62K3.pdf?ci_sign=6dfa425ea571eea9705ad043b988cf974ef7f395 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.76 грн
12+24.85 грн
14+21.19 грн
50+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 STI4N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00274723.pdf MOSFETs N-channel 620 V 17 Pwr MOSFET
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.37 грн
10+87.89 грн
100+51.00 грн
500+42.30 грн
1000+35.19 грн
2000+31.55 грн
5000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 STI4N62K3 Виробник : STMicroelectronics cd0027472.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 Виробник : STMicroelectronics cd0027472.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 STI4N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00274723.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.