
STI55NF03L STMicroelectronics
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.19 грн |
10+ | 128.60 грн |
100+ | 87.55 грн |
500+ | 72.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI55NF03L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: I2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STI55NF03L за ціною від 54.26 грн до 154.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STI55NF03L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STI55NF03L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: I2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|