STI55NF03L STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.31 грн |
| 10+ | 120.67 грн |
| 100+ | 82.15 грн |
| 500+ | 67.58 грн |
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Технічний опис STI55NF03L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 80W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: I2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Інші пропозиції STI55NF03L за ціною від 56.54 грн до 198.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
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STI55NF03L | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 80W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: I2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| STI55NF03L |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 55A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 198.93 грн |
| 10+ | 128.06 грн |
| 100+ | 79.41 грн |
| 500+ | 56.54 грн |