Продукція > STMICROELECTRONICS > STK615N4F8AG
STK615N4F8AG

STK615N4F8AG STMicroelectronics

stk615n4f8ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.52 грн
10+164.39 грн
100+130.16 грн
500+109.09 грн
2000+102.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STK615N4F8AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 672A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 390W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm.

Інші пропозиції STK615N4F8AG за ціною від 152.87 грн до 358.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STK615N4F8AG STK615N4F8AG STMicroelectronics stk615n4f8ag.pdf Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.66 грн
10+229.08 грн
50+179.00 грн
100+152.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STK615N4F8AG STK615N4F8AG STMICROELECTRONICS 4514728.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STK615N4F8AG STK615N4F8AG STMICROELECTRONICS 4514728.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STK615N4F8AG stk615n4f8ag.pdf
STK615N4F8AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+358.66 грн
10+229.08 грн
50+179.00 грн
100+152.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STK615N4F8AG 4514728.pdf
STK615N4F8AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STK615N4F8AG 4514728.pdf
STK615N4F8AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.