STK615N4F8AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 379.63 грн |
| 10+ | 243.76 грн |
| 100+ | 174.86 грн |
| 500+ | 159.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STK615N4F8AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 672A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STK615N4F8AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STK615N4F8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 672A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
STK615N4F8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 672A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
| STK615N4F8AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STK615N4F8AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)