STL100N10F7 STMicroelectronics
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 69.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL100N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL100N10F7 за ціною від 67.30 грн до 230.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLATPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL100N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL100N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V |
на замовлення 87268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STL100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |