Продукція > STMICROELECTRONICS > STL100N10F7
STL100N10F7

STL100N10F7 STMicroelectronics

en.DM00064442.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+67.74 грн
9000+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL100N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STL100N10F7 за ціною від 69.07 грн до 244.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL100N10F7 STL100N10F7 STMicroelectronics 813329018519932dm00064442.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 STL100N10F7 STMicroelectronics 813329018519932dm00064442.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 STL100N10F7 STMicroelectronics 813329018519932dm00064442.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 STL100N10F7 STMicroelectronics en.DM00064442.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V
на замовлення 12704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.87 грн
10+140.75 грн
50+107.92 грн
100+91.33 грн
500+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 STL100N10F7 STMicroelectronics 813329018519932dm00064442.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+243.79 грн
63+234.49 грн
100+226.54 грн
250+211.82 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 STL100N10F7 STMicroelectronics en.DM00064442.pdf MOSFETs N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+244.37 грн
10+120.01 грн
100+94.59 грн
500+75.82 грн
1000+74.92 грн
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 STL100N10F7 STMICROELECTRONICS SGSTS49377-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 STL100N10F7 STMICROELECTRONICS SGSTS49377-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 STMicroelectronics en.DM00064442.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; 5W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 5W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+96.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 813329018519932dm00064442.pdf
STL100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 813329018519932dm00064442.pdf
STL100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 813329018519932dm00064442.pdf
STL100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+108.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 en.DM00064442.pdf
STL100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V
на замовлення 12704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.87 грн
10+140.75 грн
50+107.92 грн
100+91.33 грн
500+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 813329018519932dm00064442.pdf
STL100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+243.79 грн
63+234.49 грн
100+226.54 грн
250+211.82 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 en.DM00064442.pdf
STL100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.37 грн
10+120.01 грн
100+94.59 грн
500+75.82 грн
1000+74.92 грн
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 SGSTS49377-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STL100N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 SGSTS49377-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STL100N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL100N10F7 en.DM00064442.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; 5W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 5W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+96.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.