
STL100N4LF8 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 79.22 грн |
15+ | 57.51 грн |
100+ | 45.49 грн |
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Технічний опис STL100N4LF8 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).