Продукція > STMICROELECTRONICS > STL100N8F7
STL100N8F7

STL100N8F7 STMicroelectronics

stl100n8f7-1850878.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.47 грн
10+ 145.9 грн
100+ 100.97 грн
500+ 85.03 грн
1000+ 73.73 грн
3000+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL100N8F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3435 pF @ 40 V.

Інші пропозиції STL100N8F7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STL100N8F7 STL100N8F7 Виробник : STMicroelectronics 358dm00140134.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL100N8F7 Виробник : STMicroelectronics 358dm00140134.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL100N8F7 STL100N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00140134.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3435 pF @ 40 V
товар відсутній
STL100N8F7 STL100N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00140134.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3435 pF @ 40 V
товар відсутній