STL100N8F7 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL100N8F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0052 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 106.21 грн |
| 500+ | 73.62 грн |
| 1000+ | 63.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL100N8F7 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N8F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0052 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL100N8F7 за ціною від 63.16 грн до 196.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL100N8F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N8F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0052 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL100N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 8980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL100N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STL100N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STL100N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STL100N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STL100N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3435 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STL100N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3435 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |