STL10LN80K5

STL10LN80K5 STMicroelectronics


stl10ln80k5-1850987.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2900 шт:

термін постачання 720-729 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.04 грн
10+ 207.78 грн
100+ 148.13 грн
500+ 126.21 грн
1000+ 106.28 грн
3000+ 104.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL10LN80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STL10LN80K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STL10LN80K5 STL10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics dm0017686.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics dm0017686.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL10LN80K5 STL10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00176869.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товар відсутній