STL110N10F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 70.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL110N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL110N10F7 за ціною від 68.60 грн до 225.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL110N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V |
на замовлення 3014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL110N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |