STL110N10F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 62.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL110N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.
Інші пропозиції STL110N10F7 за ціною від 62.88 грн до 303.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLATPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V |
на замовлення 4755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STL110N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 89.98 грн |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 89.98 грн |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.41 грн |
| 10+ | 131.50 грн |
| 50+ | 100.58 грн |
| 100+ | 85.05 грн |
| 500+ | 68.65 грн |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.66 грн |
| 10+ | 111.84 грн |
| 100+ | 87.60 грн |
| 500+ | 70.90 грн |
| 3000+ | 62.88 грн |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 289.33 грн |
| 10+ | 188.37 грн |
| 50+ | 146.34 грн |
| 100+ | 123.71 грн |
| 500+ | 91.75 грн |
| 3000+ | 75.99 грн |
| 9000+ | 71.77 грн |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 289.33 грн |
| 78+ | 188.37 грн |
| 100+ | 146.34 грн |
| 114+ | 123.71 грн |
| 500+ | 91.75 грн |
| 3000+ | 75.99 грн |
| 9000+ | 71.77 грн |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 299.74 грн |
| 100+ | 287.23 грн |
| 250+ | 264.27 грн |
| 500+ | 252.09 грн |
| 1000+ | 250.48 грн |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 303.51 грн |
| 10+ | 301.63 грн |
| 25+ | 299.74 грн |
| 100+ | 287.23 грн |
| 250+ | 264.27 грн |
| 500+ | 252.09 грн |
| 1000+ | 250.48 грн |
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STL110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





