STL115N10F7AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 71.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL115N10F7AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STL115N10F7AG за ціною від 68.57 грн до 244.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 107A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STL115N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 107A; Idm: 428A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 107A Pulsed drain current: 428A Power dissipation: 136W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |