Продукція > STMICROELECTRONICS > STL11N3LLH6
STL11N3LLH6

STL11N3LLH6 STMicroelectronics

STL11N3LLH6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL11N3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STL11N3LLH6 за ціною від 26.73 грн до 98.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics 563565464985953cd0028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics 563565464985953cd0028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.49 грн
6000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics STL11N3LLH6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.97 грн
10+60.31 грн
100+40.01 грн
500+29.37 грн
1000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics STL11N3LLH6.pdf MOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002909343-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002909343-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 563565464985953cd0028.pdf
STL11N3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 563565464985953cd0028.pdf
STL11N3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.49 грн
6000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6.pdf
STL11N3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.97 грн
10+60.31 грн
100+40.01 грн
500+29.37 грн
1000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6.pdf
STL11N3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 SGST-S-A0002909343-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STL11N3LLH6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 SGST-S-A0002909343-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STL11N3LLH6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.