Продукція > STMICROELECTRONICS > STL11N3LLH6
STL11N3LLH6

STL11N3LLH6 STMicroelectronics

STL11N3LLH6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL11N3LLH6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V.

Інші пропозиції STL11N3LLH6 за ціною від 27.10 грн до 100.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics STL11N3LLH6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.14 грн
100+40.56 грн
500+29.77 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics STL11N3LLH6.pdf MOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6.pdf
STL11N3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.33 грн
10+61.14 грн
100+40.56 грн
500+29.77 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6.pdf
STL11N3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.