STL11N3LLH6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.006 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 65.55 грн |
| 500+ | 48.65 грн |
| 1000+ | 38.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL11N3LLH6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.006 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL11N3LLH6 за ціною від 28.04 грн до 146.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep |
на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL11N3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.006 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 44A; 45W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 44A Drain current: 11A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 17nC On-state resistance: 7.5mΩ Power dissipation: 45W Gate-source voltage: ±20V Case: PowerFLAT 3.3x3.3 |
товару немає в наявності |