STL11N3LLH6 STMicroelectronics
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL11N3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL11N3LLH6 за ціною від 27.09 грн до 131.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL11N3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep |
на замовлення 4295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL11N3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL11N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 44A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 45W Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |