Продукція > STMICROELECTRONICS > STL120N10F8
STL120N10F8

STL120N10F8 STMicroelectronics

en.DM00852148.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL120N10F8 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STL120N10F8 за ціною від 54.71 грн до 171.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL120N10F8 STL120N10F8 STMicroelectronics en.DM00852148.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 125A; Idm: 500A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.80 грн
10+117.15 грн
15+107.11 грн
75+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 STL120N10F8 STMicroelectronics en.DM00852148.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.27 грн
10+106.11 грн
100+72.73 грн
500+54.84 грн
1000+54.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 STL120N10F8 STMICROELECTRONICS 4459951.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 STL120N10F8 STMicroelectronics en.DM00852148.pdf MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 STL120N10F8 STMICROELECTRONICS 4459951.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 STMicroelectronics en.dm00852148.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 STMicroelectronics en.dm00852148.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 STMicroelectronics en.dm00852148.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 STMicroelectronics en.dm00852148.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 en.DM00852148.pdf
STL120N10F8
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 125A; Idm: 500A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.80 грн
10+117.15 грн
15+107.11 грн
75+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 en.DM00852148.pdf
STL120N10F8
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.27 грн
10+106.11 грн
100+72.73 грн
500+54.84 грн
1000+54.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 4459951.pdf
STL120N10F8
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 en.DM00852148.pdf
STL120N10F8
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 4459951.pdf
STL120N10F8
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 en.dm00852148.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 en.dm00852148.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 en.dm00852148.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+92.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8 en.dm00852148.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.