STL120N10F8 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.33 грн |
| 10+ | 151.92 грн |
| 100+ | 93.21 грн |
| 500+ | 77.06 грн |
| 1000+ | 71.12 грн |
| 3000+ | 70.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL120N10F8 STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STL120N10F8 за ціною від 70.03 грн до 230.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
STL120N10F8 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 125A; Idm: 500A; 150W Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Case: PowerFLAT 5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 125A On-state resistance: 4.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STL120N10F8 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 125A; Idm: 500A; 150W Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Case: PowerFLAT 5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 125A On-state resistance: 4.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |