STL120N4F6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 158+ | 78.18 грн |
| 161+ | 76.99 грн |
| 163+ | 75.80 грн |
| 166+ | 71.95 грн |
| 250+ | 65.56 грн |
| 500+ | 61.92 грн |
| 1000+ | 60.90 грн |
| 3000+ | 59.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL120N4F6AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STL120N4F6AG за ціною від 52.11 грн до 150.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 4262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLATPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLATPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| STL120N4F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 220A; 115W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 115W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |

