STL120N8F7 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL120N8F7 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STL120N8F7 за ціною від 60.56 грн до 207.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL120N8F7 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL120N8F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL120N8F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL120N8F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL120N8F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL120N8F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x |
на замовлення 6850 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL120N8F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL120N8F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2900 шт В кошику од. на суму грн. |
| STL120N8F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.85 грн |
| STL120N8F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 88.79 грн |
| STL120N8F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 90.54 грн |
| STL120N8F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 101.27 грн |
| 10+ | 99.69 грн |
| 25+ | 98.10 грн |
| 100+ | 93.07 грн |
| 250+ | 84.75 грн |
| 500+ | 80.01 грн |
| STL120N8F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 101.27 грн |
| 147+ | 99.69 грн |
| 150+ | 98.10 грн |
| 152+ | 93.07 грн |
| 250+ | 84.75 грн |
| 500+ | 80.01 грн |
| STL120N8F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
MOSFETs N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 179.94 грн |
| 10+ | 108.15 грн |
| 100+ | 80.50 грн |
| 500+ | 68.62 грн |
| 3000+ | 61.24 грн |
| 9000+ | 60.56 грн |
| STL120N8F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.10 грн |
| 10+ | 128.52 грн |
| 50+ | 98.22 грн |
| 100+ | 83.00 грн |
| 500+ | 66.89 грн |
| STL120N8F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)