STL120N8F7

STL120N8F7 STMicroelectronics


en.dm00150073.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL120N8F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STL120N8F7 за ціною від 55.85 грн до 203.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL120N8F7 STL120N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00150073.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7 STL120N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00150073.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7 STL120N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00150073.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7 STL120N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00150073.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+89.24 грн
147+87.84 грн
150+86.44 грн
152+82.01 грн
250+74.68 грн
500+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7 STL120N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00150073.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.61 грн
10+94.12 грн
25+92.61 грн
100+87.87 грн
250+80.02 грн
500+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7 STL120N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150073.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.37 грн
10+126.29 грн
100+87.32 грн
500+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7 STL120N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150073.pdf MOSFETs N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.36 грн
10+129.89 грн
100+79.48 грн
500+66.59 грн
1000+61.78 грн
3000+58.01 грн
6000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7 STL120N8F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150073.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.