STL125N10F8AG STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.85 грн |
| 10+ | 116.83 грн |
| 50+ | 88.99 грн |
| 100+ | 75.07 грн |
| 500+ | 60.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL125N10F8AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.
Інші пропозиції STL125N10F8AG за ціною від 65.98 грн до 236.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL125N10F8AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET |
на замовлення 5263 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STL125N10F8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLATtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STL125N10F8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLATtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STL125N10F8AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 125A 8-Pin PowerFLAT EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STL125N10F8AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET
MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.99 грн |
| 10+ | 115.94 грн |
| 100+ | 91.04 грн |
| 500+ | 73.73 грн |
| 1000+ | 70.50 грн |
| 3000+ | 65.98 грн |
| STL125N10F8AG |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STL125N10F8AG |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STL125N10F8AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 100V 125A 8-Pin PowerFLAT EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 125A 8-Pin PowerFLAT EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 91.85 грн |





