Продукція > STMICROELECTRONICS > STL125N10F8AG
STL125N10F8AG

STL125N10F8AG STMicroelectronics

stl125n10f8ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V, 4.6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.35 грн
10+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL125N10F8AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції STL125N10F8AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL125N10F8AG STL125N10F8AG STMICROELECTRONICS 4331409.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10F8AG STL125N10F8AG STMICROELECTRONICS 4331409.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10F8AG 4331409.pdf
STL125N10F8AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10F8AG 4331409.pdf
STL125N10F8AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.