Продукція > STMICROELECTRONICS > STL12N60M2
STL12N60M2

STL12N60M2 STMicroelectronics

stl12n60m2-1851126.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.12 грн
10+ 99.31 грн
100+ 68.42 грн
250+ 67.09 грн
500+ 57.99 грн
1000+ 48.96 грн
3000+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL12N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STL12N60M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STL12N60M2 STL12N60M2 Виробник : STMicroelectronics 731109009171625dm00187264.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL12N60M2 Виробник : STMicroelectronics 731109009171625dm00187264.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL12N60M2 STL12N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00187264.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товар відсутній
STL12N60M2 STL12N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00187264.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товар відсутній