
STL12N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 93.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL12N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.
Інші пропозиції STL12N65M5 за ціною від 100.70 грн до 100.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STL12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
STL12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
STL12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
STL12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
товару немає в наявності |