STL12P6F6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.89 грн |
| 6000+ | 27.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL12P6F6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL12P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL12P6F6 за ціною від 23.91 грн до 116.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL12P6F6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL12P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL12P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL12P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL12P6F6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL12P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL12P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL12P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
на замовлення 7709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL12P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |