STL130N6F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL130N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL130N6F7 за ціною від 58.79 грн до 189.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLATInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p |
на замовлення 19979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STL130N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.81 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.81 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 77.10 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 77.94 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 79.87 грн |
| 180+ | 78.65 грн |
| 183+ | 77.43 грн |
| 200+ | 70.49 грн |
| 1000+ | 64.34 грн |
| 2000+ | 60.40 грн |
| 3000+ | 58.79 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 88.25 грн |
| 10+ | 86.88 грн |
| 25+ | 85.53 грн |
| 100+ | 81.16 грн |
| 250+ | 73.93 грн |
| 500+ | 69.80 грн |
| 1000+ | 68.64 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 88.25 грн |
| 163+ | 86.88 грн |
| 165+ | 85.53 грн |
| 168+ | 81.16 грн |
| 250+ | 73.93 грн |
| 500+ | 69.80 грн |
| 1000+ | 68.64 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 298+ | 118.78 грн |
| 500+ | 113.25 грн |
| 1000+ | 106.96 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 189.26 грн |
| 10+ | 117.56 грн |
| 100+ | 80.91 грн |
| 500+ | 62.15 грн |
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
на замовлення 19979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STL130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





