STL130N6F7

STL130N6F7 STMicroelectronics


STL130N6F7.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL130N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STL130N6F7 за ціною від 53.77 грн до 196.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+73.05 грн
180+71.93 грн
183+70.81 грн
200+64.47 грн
1000+58.85 грн
2000+55.24 грн
3000+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+80.71 грн
163+79.46 грн
165+78.22 грн
168+74.23 грн
250+67.61 грн
500+63.84 грн
1000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMICROELECTRONICS 2815981.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.60 грн
500+71.98 грн
1000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.47 грн
10+85.14 грн
25+83.81 грн
100+79.53 грн
250+72.44 грн
500+68.40 грн
1000+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+108.63 грн
500+103.58 грн
1000+97.82 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMICROELECTRONICS 2815981.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.02 грн
10+98.43 грн
100+84.60 грн
500+71.98 грн
1000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics STL130N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.82 грн
10+117.91 грн
100+81.15 грн
500+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7 STL130N6F7 Виробник : STMicroelectronics STL130N6F7.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
на замовлення 20733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.04 грн
10+125.08 грн
100+75.30 грн
500+61.15 грн
1000+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.