Продукція > STMICROELECTRONICS > STL135N8F7AG
STL135N8F7AG

STL135N8F7AG STMicroelectronics

en.DM00224699.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.07 грн
10+152.90 грн
100+106.80 грн
500+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL135N8F7AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STL135N8F7AG за ціною від 80.15 грн до 251.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL135N8F7AG STL135N8F7AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00224699.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.26 грн
10+161.91 грн
100+98.27 грн
500+86.43 грн
1000+82.94 грн
3000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL135N8F7AG STL135N8F7AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00224699.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL135N8F7AG Виробник : STMicroelectronics stl135n8f7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 98A; Idm: 480A; 135W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 98A
Power dissipation: 135W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.