STL13N60DM2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 58.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL13N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL13N60DM2 за ціною від 56.68 грн до 156.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V |
на замовлення 8996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STL13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |