Продукція > STMICROELECTRONICS > STL140N6F7
STL140N6F7

STL140N6F7 STMicroelectronics

en.DM00092175.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+64.85 грн
6000+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL140N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 2400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції STL140N6F7 за ціною від 68.24 грн до 231.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL140N6F7 STL140N6F7 STMicroelectronics en.DM00092175.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+134.88 грн
100+93.25 грн
500+70.79 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL140N6F7 STL140N6F7 STMICROELECTRONICS en.DM00092175.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 2400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.66 грн
10+158.50 грн
100+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL140N6F7 STL140N6F7 STMicroelectronics en.DM00092175.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL140N6F7 en.DM00092175.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.33 грн
10+134.88 грн
100+93.25 грн
500+70.79 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL140N6F7 en.DM00092175.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 2400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+231.66 грн
10+158.50 грн
100+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL140N6F7 en.DM00092175.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.