Продукція > STMICROELECTRONICS > STL150N3LLH6
STL150N3LLH6

STL150N3LLH6 STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0007986836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0016 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.90 грн
500+38.30 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL150N3LLH6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STL150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0016 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції STL150N3LLH6 за ціною від 27.03 грн до 89.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL150N3LLH6 STL150N3LLH6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007986836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STL150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0016 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.09 грн
12+71.79 грн
100+55.90 грн
500+38.30 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STL150N3LLH6 STL150N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics SGST_S_A0007986836_1-2563813.pdf MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.05 грн
10+71.66 грн
100+48.51 грн
500+41.17 грн
1000+37.14 грн
3000+31.48 грн
6000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STL150N3LLH6 PF222442?referrer=70071840
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL150N3LLH6 STL150N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics stl150n3llh6.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL150N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics stl150n3llh6.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL150N3LLH6 STL150N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics PF222442?referrer=70071840 Description: MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.