STL15N60M2-EP STMicroelectronics
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 153+ | 80.91 грн |
| 167+ | 74.02 грн |
| 168+ | 73.85 грн |
| 186+ | 64.05 грн |
| 250+ | 59.11 грн |
| 500+ | 55.23 грн |
| 1000+ | 53.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL15N60M2-EP STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 418mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.
Інші пропозиції STL15N60M2-EP за ціною від 57.55 грн до 182.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL15N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STL15N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 418mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL15N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL15N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
STL15N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
STL15N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HVPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 418mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
STL15N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x |
товару немає в наявності |


