Продукція > STMICROELECTRONICS > STL160N4F7
STL160N4F7

STL160N4F7 STMicroelectronics

stl160n4f7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.51 грн
10+80.25 грн
100+54.13 грн
500+40.29 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL160N4F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 111W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STL160N4F7 за ціною від 31.80 грн до 136.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL160N4F7 STL160N4F7 Виробник : STMicroelectronics stl160n4f7.pdf MOSFETs N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.15 грн
10+85.99 грн
100+50.18 грн
500+39.76 грн
1000+36.41 грн
3000+31.87 грн
9000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7 Виробник : STMicroelectronics stl160n4f7.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7 Виробник : STMicroelectronics stl160n4f7.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+68.21 грн
218+59.53 грн
500+54.10 грн
1000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7 Виробник : STMicroelectronics stl160n4f7.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+82.16 грн
11+73.08 грн
100+63.78 грн
500+55.89 грн
1000+49.55 грн
3000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7 Виробник : STMicroelectronics stl160n4f7.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7 STL160N4F7 Виробник : STMicroelectronics stl160n4f7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7 Виробник : STMicroelectronics stl160n4f7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 40V; 120A; 111W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 111W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.