STL160N4F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.75 грн |
| 10+ | 87.38 грн |
| 100+ | 60.11 грн |
| 500+ | 42.36 грн |
| 1000+ | 39.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL160N4F7 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 111W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STL160N4F7 за ціною від 44.71 грн до 144.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL160N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STL160N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STL160N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STL160N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STL160N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STL160N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
STL160N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLATPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
