STL165N10F8AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL165N10F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 158 A, 3200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL165N10F8AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL165N10F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 158 A, 3200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 158A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.
Інші пропозиції STL165N10F8AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STL165N10F8AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
STL165N10F8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL165N10F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 158 A, 3200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STL165N10F8AG |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STL165N10F8AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL165N10F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 158 A, 3200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - STL165N10F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 158 A, 3200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)