Продукція > STMICROELECTRONICS > STL165N4F8AG
STL165N4F8AG

STL165N4F8AG STMicroelectronics

stl165n4f8ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL165N4F8AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL165N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 154 A, 2600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 154A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 111W, Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STL165N4F8AG за ціною від 39.45 грн до 134.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL165N4F8AG STL165N4F8AG STMicroelectronics stl165n4f8ag.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.52 грн
10+82.92 грн
100+56.05 грн
500+41.81 грн
1000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AG STL165N4F8AG STMicroelectronics stl165n4f8ag.pdf MOSFETs Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AG STL165N4F8AG STMICROELECTRONICS 4459952.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL165N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 154 A, 2600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AG stl165n4f8ag.pdf
STL165N4F8AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.52 грн
10+82.92 грн
100+56.05 грн
500+41.81 грн
1000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AG stl165n4f8ag.pdf
STL165N4F8AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AG 4459952.pdf
STL165N4F8AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL165N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 154 A, 2600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.