STL16N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.53 грн |
| 10+ | 142.58 грн |
| 50+ | 109.31 грн |
| 100+ | 92.53 грн |
| 500+ | 74.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL16N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL16N65M2 за ціною від 67.26 грн до 244.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL16N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 |
на замовлення 1337 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| STL16N65M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; 650V; 7.5A; 56W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.5A Power dissipation: 56W Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 395mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 19.5nC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| STL16N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.89 грн |
| 10+ | 120.26 грн |
| 100+ | 94.80 грн |
| 500+ | 75.99 грн |
| 3000+ | 67.26 грн |
| STL16N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; 650V; 7.5A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 395mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; 650V; 7.5A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 395mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 100.58 грн |