Технічний опис STL18N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL18N65M2 за ціною від 76.86 грн до 236.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL18N65M2 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STL18N65M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STL18N65M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STL18N65M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STL18N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H |
на замовлення 3721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STL18N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 102.31 грн |
| STL18N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 105.44 грн |
| STL18N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 106.58 грн |
| STL18N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.18 грн |
| 10+ | 147.68 грн |
| 100+ | 102.60 грн |
| 500+ | 78.21 грн |
| 1000+ | 76.86 грн |
| STL18N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)