STL18N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 84.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL18N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL18N65M2 за ціною від 70.70 грн до 219.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H |
на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 8A; 57W; PowerFLAT 5x6; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: 25V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STL18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |